Учёные из Фуданьского университета (Шанхай) объявили о создании энергонезависимой памят...
Учёные из Фуданьского университета (Шанхай) объявили о создании энергонезависимой памяти, способной хранить один бит данных с помощью всего одного электрона — минимального носителя заряда. Разработка, получившая название Guiyi ("Гуйи" в честь буддийского понятия "Единства"), описана в журнале Science 16 июля. Сегодняшняя флеш-память использует сотни тысяч электронов для хранения одного бита. Главным препятствием для одноэлектронной памяти была паразитная краевая ёмкость — электромагнитные помехи между электродами, в которых терялся сигнал. Чтобы решить эту проблему, исследователи применили атомарно тонкие двумерные материалы и самовыравнивающуюся планарную архитектуру, где сток, канал и исток находятся в одной плоскости. А слой графена выступил барьером, не дающим электрону покинуть ячейку. Добавление или удаление одного электрона меняло пороговое напряжение транзистора на 0,5 В — почти в 10 раз больше, чем в эксперименте 1997 года, где сигнал составлял около 55 мВ и держался менее пяти секунд. Новая же ячейка стабильно удерживает состояние при комнатной температуре без питания. Авторы также обнаружили дискретные зависимости от напряжения программирования и обещают разработать вариант многоуровневой записи. Технология обещает резкое увеличение плотности памяти и снижение энергопотребления — особенно актуально для систем ИИ, где данные должны храниться рядом с вычислителями. Однако пока продемонстрировано лишь лабораторное устройство. Для создания массива нужно подтвердить ресурс перезаписи, скорость и стабильность при массовом производстве. Коммерциализацией займётся отдельная компания, которую создадут осенью. Продукт планируют выпустить через 3–5 лет.