Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству с...
Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству современных чипов Российские ученые запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта в октябре 2026 г. уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнеру. Проект реализуется с 2024 г. в рамках федеральной программы «Приоритет-2030». https://www.cnews.ru/news/top/2026-10-16_rossijskie_uchenye_zapatentovali
62 просмотров