🇺🇸 Американская компания Power Integrations продемонстрировала GaN-технологию на 2200... — 20 августа 2026 г. в 07:49:00.544
🇺🇸 Американская компания Power Integrations продемонстрировала GaN-технологию на 2200 В для высоковольтных систем питания Компания заявляет, что это первый GaN-процесс с таким напряжением и что показатель существенно превышает возможности доступных сегодня коммерческих GaN-решений. 📈 Повышение рабочего напряжения расширяет область применения GaN, которая до последнего времени была ограничена преимущественно диапазоном до 650–900 В. Масштабирование GaN-транзисторов на кремниевой подложке выше 900 В технологически усложняется из-за необходимости формирования более толстых буферных слоев. Поэтому в диапазоне 1200 В и выше основным широкозонным материалом традиционно остается карбид кремния (SiC). ⚙️ Power Integrations уже серийно выпускает PowiGaN-решения на 1250 и 1700 В: микросхемы на 1250 В вышли на рынок в 2023 году, устройства на 1700 В — в 2024-м. По данным компании, к октябрю 2025 года она оставалась единственным поставщиком GaN-ключей этих классов напряжения, находившихся в массовом производстве. 🧩 В архитектурах с шиной 800 В один транзистор PowiGaN на 1250 В заменяет последовательное соединение нескольких 650-вольтовых GaN-ключей. Последовательная схема требует большего числа драйверов и изолированных источников питания, усложняет балансировку напряжений и увеличивает потери проводимости. 👩🏫 В опубликованном компанией сравнении PowiGaN на 1250 В сопоставлялся с SiC MOSFET на 1200 В при одинаковом сопротивлении открытого канала 60 мОм. GaN-транзистор обеспечил работу резонансного LLC-преобразователя на частоте 1 МГц с переключением при нулевом напряжении (ZVS), тогда как SiC MOSFET в тех же условиях не смог удержать ZVS и переходил в режим жесткой коммутации. Способность держать ZVS на такой частоте компания объясняет меньшим зарядом выходной емкости GaN-транзистора, а меньший заряд затвора и более короткое время выключения дополнительно снижают потери на управление и выключение. 🤖 Одним из основных целевых рынков для высоковольтных GaN-решений становятся центры обработки данных для ИИ-нагрузок. NVIDIA планирует с 2027 года переход к распределению питания на 800 В постоянного тока для стоек мощностью 1 МВт и выше, а отраслевые дорожные карты уже указывают на будущие архитектуры распределения на 1500 В — именно под них Power Integrations закладывает запас по напряжению новой технологии. PowiGaN на 1250 В компания позиционирует для основного тракта питания таких систем, а решения на 1700 В уже используются при проектировании одноступенчатых вспомогательных преобразователей. Среди других заявленных применений — батарейные и вспомогательные системы электромобилей, солнечные инверторы, накопители энергии и HVDC-инфраструктура. ⚡️ Демонстрация технологии на 2200 В показывает, что GaN постепенно выходит в диапазон напряжений, где ранее преимущественно применялся SiC. #ЭлМаш #технологии