🇰🇷 Samsung представила новые архитектуры 3D-памяти с технологией соединения пластин — 18 августа 2026 г. в 15:46:55.743
🇰🇷 Samsung представила новые архитектуры 3D-памяти с технологией соединения пластин На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 Samsung показала три направления развития трехмерной памяти: • zHBM • zNAND-O • V10 BV-NAND 🆕 Общий технологический принцип заключается в переходе от размещения функциональных блоков рядом друг с другом к их вертикальной интеграции с использованием соединения пластин и кристаллов. 🔹 В архитектуре zHBM стек HBM размещается непосредственно над ИИ-ускорителем, а не рядом с ним. Это сокращает длину соединений между вычислительным кристаллом и памятью. По оценке Samsung, система на базе zHBM потенциально может обеспечить до 8 раз более высокую производительность по сравнению с HBM5, более чем в 10 раз увеличить плотность памяти, повысить энергоэффективность втрое и снизить тепловое сопротивление более чем на 50%. Компания также предусматривает возможность интеграции заказной логики в промежуточный слой между памятью и ускорителем. 🔹Еще одно направление, zNAND-O, предназначено прежде всего для периферийных ИИ-систем. Архитектура предусматривает вертикальное объединение четырех или восьми кристаллов V-NAND с использованием TSV. Samsung указывает пропускную способность 200–400 ГБ/с и задержку чтения менее 3 мкс. За счет размещения NAND ближе к вычислительной логике компания рассчитывает уменьшить задержки и энергозатраты на передачу данных. Пока zHBM и zNAND-O остаются концепцией, сроки коммерческого внедрения Samsung не раскрывает. 🔹 V10 BV-NAND является десятым поколением V-NAND компании. В предыдущих поколениях ячейки памяти и периферийные схемы формировались на одной пластине. В V10 они изготавливаются раздельно на двух пластинах, после чего соединяются. Такой подход снижает структурные ограничения при дальнейшем увеличении количества слоев и позволяет использовать для периферийных схем отдельный, более подходящий технологический процесс. V10 BV-NAND содержит более 400 слоев и обеспечивает примерно на 58% более высокую плотность хранения по сравнению с V9. Samsung также заявляет об улучшении времени программирования на 45% и увеличении скорости интерфейса на 33%. 📚 Три разработки используют разные подходы к вертикальной интеграции. В zHBM Samsung применяет гибридное соединение меди (Hybrid Copper Bonding, HCB) и соединение нескольких пластин (Multi-Wafer Bonding), в zNAND-O — трехмерную сборку кристаллов с TSV, а в V10 BV-NAND — соединение отдельных пластин с массивом ячеек памяти и периферийными схемами. В случае V10 технология соединения пластин становится частью непосредственно процесса формирования NAND, а не только последующей сборки и корпусирования микросхем. #ЭлМаш #технологии #Samsung