💻 Сократил примерно на 15% и добавил практическое следствие — зачем это нужно не тольк...
💻 Сократил примерно на 15% и добавил практическое следствие — зачем это нужно не только разработчикам чипов. Кремниевые транзисторы упёрлись в квантовую стену: при комнатной температуре им трудно переключаться быстрее и одновременно экономичнее. Учёные из Гонконгского политехнического университета нашли способ обойти этот предел. В обычном MOSFET электроны должны преодолеть энергетический барьер, поэтому на каждое десятикратное изменение тока требуется минимум около 60 мВ- так называемый предел Больцмана. Новый TFET работает иначе: электроны не перелезают через барьер, а проходят сквозь него благодаря квантовому туннелированию. Ключом стала сверхтонкая гетероструктура из висмута и InSe с тщательно настроенной зонной структурой. Чистый интерфейс между материалами позволил значительно эффективнее использовать туннелирование. Результат впечатляет: транзистор продемонстрировал субболцмановское переключение на шести порядках изменения тока, а отношение ON/OFF превысило 10⁷. Для управления ему потребовалось всего 160 мВ против примерно 800 мВ у современных MOSFET. Но главный прорыв- не рекорд отдельного транзистора, а возможность совместить такую архитектуру с кремниевыми подложками и потенциально масштабировать её до производства пластин. Если технология дойдёт до массовых чипов, это означает меньшее энергопотребление при той же вычислительной мощности. Для обычного человека это может означать более автономные смартфоны и ноутбуки, менее горячие устройства и гораздо более эффективные AI-системы. А для дата-центров эффект ещё масштабнее: снижение энергопотребления каждого транзистора на уровне архитектуры способно существенно уменьшить стоимость и энергозатраты вычислений. 📱VK 💬MAX 📱Дзен #транзистор #инженерия