🔬 Китайские учёные создали первые в мире логические схемы на CFET-транзисторах из угле... — 21 июля 2026 г. в 07:30:03.088
🔬 Китайские учёные создали первые в мире логические схемы на CFET-транзисторах из углеродных нанотрубок Группа Сюэлэя Ляна из Пекинского университета впервые собрала работающие логические контуры целиком на CFET-транзисторах с каналами из углеродных нанотрубок. Структура оказалась элегантной: зоны дырочной (n-FET) и электронной (p-FET) проводимости расположены одна над другой, идентичны по площади и отлично согласованы. Усилитель на таких транзисторах достиг пикового коэффициента усиления 164 при напряжении 1,0 В — абсолютный рекорд для CFET-схем. Помимо усилителя команда реализовала логические элементы NOR, OR, NAND, AND, четырёхтранзисторную ячейку оперативной памяти (4T-SRAM), пятиступенчатый кольцевой генератор и многослойный фотодиод. Главный прорыв — монолитная сенсорно-вычислительная схема: фотодиод напрямую соединили с CFET-инвертором, получив систему для высокоточной регистрации слабых потоков инфракрасного излучения в диапазоне 1200–1900 нм. Это задел для кремниевой фотоники — ключевой технологии энергоэффективных ИИ-вычислителей будущего. CFET активно развивают не только в Китае: над этой архитектурой работают IBM, Intel, Imec и десятки других лабораторий. Что такое CFET? Классический полевой транзистор располагает исток, сток и канал в одной плоскости. CFET (complementary FET) размещает комплементарные пары n-МОП/p-МОП транзисторов одна над другой с замкнутыми затворами (gates-all-around). По дорожной карте Imec к 2030 году на технологической норме A7 (~0,7 нм) возможности нанолистовых GAAFET исчерпаются — и тогда в серийное производство придёт CFET, несмотря на сложность и дороговизну. Преимущества CFET перед GAAFET критичны: меньше занимаемая площадь, выше энергоэффективность за счёт сниженных напряжений, радикальная экономия на межсоединениях. Планарные транзисторы требуют 10+ слоёв металлизации, GAAFET — 5-6, CFET обещает всего 1-2 слоя. Меньше толщина чипа → проще отвод тепла → выше рабочая частота. При плотности 300+ млн транзисторов на мм² и рабочем напряжении ~1 В (против 5 В два десятилетия назад) каждый процент экономии по высоте и току критичен. Углеродные нанотрубки из Пекина — не просто лабораторная диковинка, а реальный шанс обойти физические пределы кремния на пути к атомарным масштабам электроники? 💡 GPT, Claude, Gemini в одном сервисе — chatru.net