НВ

Наука в Фокусе

Наука · 10 августа 2026 г.

Открыть канал в MAX

Укладывать чиплеты слоями — прямой путь к росту плотности транзисторов. Но чтобы данные...

Укладывать чиплеты слоями — прямой путь к росту плотности транзисторов. Но чтобы данные между этажами передавались без задержек, нужно прямое гибридное соединение без промежуточных контактов. Китайский стартап Yuanji Microelectronics пообещал к 2029 году достичь плотности 5-нм чипов без EUV-литографии. Ставку делают на двумерные полупроводники (структуры толщиной в атом) и технологию hybrid bonding – стыковку медных шин чипов напрямую. Весной 2025 года компания уже получила работающие прототипы на 8-дюймовых пластинах с разрешением 500–1000 нм и выходом годных 99,99%. К концу года техпроцесс масштабируют до 90 нм и подготовят к мелкосерийному производству. Hybrid bonding резко увеличивает число соединений на квадратный миллиметр: в лабораториях Imec показали до 7 млн, в серии – более 10 тыс. Это критически снижает задержки при обмене данными, что особенно важно для ИИ. Huawei оформила такой подход в «закон тау» – смещение фокуса с числа транзисторов на сокращение задержки сигнала. Их архитектура LogicFolding с двумя активными слоями в процессоре Kirin 2026 дала плюс 53% к плотности транзисторов, +41% к энергоэффективности и +13% к частоте. Гибридная трёхмерная укладка становится новым мейнстримом микроэлектроники.