🇺🇸Американские инженеры MIT совместно с Georgia Tech и Penn State предложили новый по... — 1 июля 2026 г. в 06:45:02.061
🇺🇸Американские инженеры MIT совместно с Georgia Tech и Penn State предложили новый подход к решению проблемы перегрева гетерогенных 3D-систем при плотной компоновке GaN-транзисторов По мере роста плотности GaN-приборов на кремниевом чипе локальные перегревы начинают ограничивать надежность и характеристики устройства. Ранее для охлаждения пытались наращивать ультратонкие алмазные слои непосредственно поверх GaN, но эта методика плохо масштабируется и создает паразитные емкости. В новой архитектуре алмаз не наносится сверху, а используется как отдельный тонкий интерпозер, в который встраиваются заранее подготовленные GaN-«дилеты». 🔬 Фемтосекундный лазер вырезает полости точно под размер дилета; фиксация осуществляется через термоплёнку толщиной 20 мкм. Поверх GaN и алмаза последовательно формируются диэлектрические и металлические слои схемы. 🛜 Команда исследователей изготовила усилитель мощности для беспроводной связи диапазона 6G FR3 с применением данной технологии. По данным авторов, он показал более высокие выходную мощность, усиление и эффективность, чем сопоставимые решения. 💎 Технология использует ювелирный монокристаллический алмаз лабораторного выращивания, стоимость которого значительно снизилась в последние годы. Целевые применения: 6G и спутниковая связь, высокомощные радары, промышленные дроны, преобразователи питания в дата-центрах. #ЭлМаш #технологии #алмаз #нитридгаллия