🇺🇸 Американская компания Applied Materials представила набор из шести установок для п... — 6 июля 2026 г. в 06:32:00.922
🇺🇸 Американская компания Applied Materials представила набор из шести установок для производства трёхмерных архитектур чипов, на которых строятся современные ИИ-ускорители. Запуск компания связывает со «стеной памяти» (memory wall): рост масштаба моделей и объёма пересылаемых данных опережает прирост пропускной способности, ёмкости и энергоэффективности памяти, а это ускоряет переход к передовому корпусированию — прежде всего к памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и трёхмерному стекированию кристаллов. Новинки охватывают три области: изготовление DRAM, корпусирование и контроль процесса. 🔹 В сегменте DRAM обновлённая система эпитаксии Centura Prime Epi переносит в память приём, отработанный в передовой логике: селективный рост легированных слоёв кремний-германия (SiGe) и кремний-фосфора (Si:P) в областях истока/стока периферийных транзисторов. Сочетание инженерии механических напряжений с точным контролем легирования повышает рабочий ток и эффективность транзистора; по данным Applied Materials, это ускоряет работу DRAM и снижает энергопотребление. Занимаемая установкой площадь уменьшена на 20%, что повышает плотность размещения оборудования на фабрике. 🔹 Для передового корпусирования представлены три установки под наиболее критичные этапы 3D-интеграции: – Opta Quad CMP — химико-механическая планаризация под задачи корпусирования (толстые плёнки, длительная полировка, жёсткие допуски): система отслеживает состояние пластины в ходе полировки и корректирует процесс в реальном времени, улучшая однородность в пределах пластины и контроль разброса толщины. Это особенно важно для гибридного соединения (hybrid bonding), где медь и диэлектрик двух кристаллов сращиваются за один этап и требуется почти идеальная планарность; – Nokota VMax 2 ECD — электрохимическое осаждение для прецизионного гальванического осаждения меди: от заполнения сквозных кремниевых переходов (TSV) при 3D-стекировании до формирования микробампов (microbumps) с малым шагом. В новой версии используется Adaptive Pattern Tuning: технология динамически формирует электрическое поле, компенсируя зависящую от топологии неравномерность осаждения; – Producer Avila 2 PECVD — плазмохимическое осаждение диэлектрических плёнок вокруг TSV. Толщина кристаллов HBM доводится примерно до 1/25 от стандартной пластины, из-за чего они склонны к короблению; система повышает их механическую устойчивость и обеспечивает надёжное стекирование сборок HBM на 12, 16 и более слоёв. 🔹 Отдельный блок нового оборудования — контроль процесса. Фабрики корпусирования столкнулись с дефектами и метрологией уровня пластинных фабрик: размеры элементов ушли ниже разрешения оптической инспекции, а единственный дефект способен отправить в брак весь стек HBM. Applied Materials переносит сюда свои электронно-лучевые (eBeam) инструменты: – VeritySEM 7AP — метрология критических размеров (CD) на толстых, неоднородных и сильно покоробленных подложках, характерных для HBM и чиплетных архитектур; чувствительность лучше 10 нм, на порядки выше оптических систем; – SEMVision G7AP — анализ дефектов с высоким разрешением и автоматической классификацией на кремниевых, органических и стеклянных подложках, что помогает отделять критические дефекты от несущественных сигналов. По данным компании, система уже работает в серийном производстве у ведущих производителей памяти и логики. #ЭлМаш #технологии #AppliedMaterials